Galaxy开始量产第8代V-NAND

凶联社11月7日电，Galaxy宣布已开始原型机Galaxy产品里面较强最高存储密度的1Tb（缘故字节）三比特模组（TLC）第8代V-NAND。基于当前NAND闪存标准Toggle DDR 5.0接口的Galaxy第8代V-NAND，其转换成和转换成（I/O）速度高达2.4 Gbps（千兆比特每秒），相对于上一代提升了1.2倍，这可以意味着PCIe 4.0和更高版本PCIe 5.0的性能拒绝。

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