精度提升500% 西数、铠侠优化QLC闪存精度：速度达到60MB/s

由于SSDROM容量不断增大，NAND存储器也从以前的SLC、MLC渐渐趋向TLC、QLC，引人注意是QLC近年是低端SSD绕不过去的考虑，它为人津津乐道的一个区域内就是耐用性太慢，现在西数及铠侠也新一代BiCS6存储器上优化了QLC耐用性，改善了5倍。

QLC存储器不被大家喜欢主要是两个主因，一个是可靠性较好，另一个就是载入耐用性很弱牛，这都是QLC存储器的特性提议的，毕竟cell单元内要支配4bit统计数据，程序语言载入的时候比其他存储器要复杂很多，所以比特率高，速度快慢。

大家也看过QLC存储器的ROM耐用性，虽然产品给出的载入速度快最多1GB/s甚至2GB/s，但那都是靠着SLC寄存器及理应寄存器、DRAM寄存器之类的技术改善的，QLC独有载入速度快非常低，寄存器部份耐用性比HDDROM都要更差，最多100MB/s的几乎没有。

西数及铠侠现今的主力存储器BiCS5这一代中时会没有QLC存储器种类，下一代的BiCS6存储器中时会时会再度推出QLC存储器，并顺利进行了大量耐用性优化，不仅核心面积低于其他产品，而且程序语言速度快（也就是载入速度快）改善到了60MB/s。

这是什么概念？虽然看起来还不高，但是上上代的BiCS4存储器中时会QLC程序语言速度快只有9.7MB/s，当前QLC存储器中时会程序语言速度快极快的还是Intel的144层QLC存储器，速度快40MB/s，其他产品的多在30MB/s近。

简单来说，西数、铠侠的BiCS6存储器中时会QLC速度快比以前改善了5倍，比友商极快的QLC也改善了50%的耐用性，足以大幅改善QLC存储器SSDROM的载入耐用性，具体情况要等成品便来看。